[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-2] 電子線照射したβ-Ga₂O₃エピ基板の欠陥準位評価

〇中野 由崇¹、伊藤 成志² (1.中部大工、2.住重アテックス)

キーワード：

酸化ガリウム、電子線照射、欠陥準位

電子線照射したβ-Ga₂O₃(001)エピ基板を光容量分光計測し、電子線照射による欠陥準位の生成挙動を検討した。電子線照射によりEc-2.75eV, Ev+3.67eVの欠陥準位が明らかに顕在化する特徴を示し、Ga空孔, O空孔関連の欠陥準位が追加導入されたと推定される。