[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-25] 透明フレキシブルTFT開発に向けたZnO成長と特性評価

〇鷲巣 智裕¹、北堀 匡真¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：

酸化亜鉛、薄膜トランジスタ、フレキシブル

本研究では、透明かつフレキシブルな薄膜トランジスタ(TFT)の製作を目標とし、低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いてフレキシブルなPET基板上に成膜させたZnOの評価を行ってきた。今回の発表では、PET基板上に成膜させたZnOの電気的特性評価、透過率評価、キャリア移動度評価、及びXRD評価について報告する。