[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-35] 室温プロセスでバイアスストレス安定性の高いアモルファスIn₂O₃系TFT

〇山寺 真理¹、木菱 完太¹、小林 亮太¹、石井 和歩¹、相川 慎也¹ (1.工学院大)

キーワード：

薄膜トランジスタ、UV照射、ヒステリシス