[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-37] ゾルゲル法による Ga-Sn-O を用いた MSM 型紫外線センサの作製と評価

〇太田 行優¹、松田 時宜¹、陳 亞歆²、歐 宏禹²、蔡 健益² (1.近畿大学、2.逢甲大学)

キーワード：

紫外線センサ

Ga-Sn-Oはアモルファスの透明酸化物半導体であり、そのTFT特性およびメモリ特性、熱電特性などが報告されている。本研究ではGa-Sn-Oの新たな応用先として、ゾルゲル法を用いて成膜したGa-Sn-OによるMSM (Metal-Semiconductor-Metal)型紫外線センサの作製および前駆体溶液中のGa:Sn比が薄膜および光検出特性に及ぼす影響を報告する。