講演情報
[15p-P12-5]ミストCVD法の結晶成長機構：アセチルアセトナート錯体の第一原理分子動力学計算による熱的安定性評価
〇宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
キーワード：
酸化ガリウム、ミストCVD法、第一原理分子動力学計算
発表者は、ミストCVD法の結晶成長機構として錯体の配位子交換による結晶成長メカニズムを提唱している。ミストCVD成長では、β-Ga2O3が高温で結晶成長速度が低下すること、α-In2O3のミストCVD成長にアセチルアセトナート錯体が有効でないという報告がある。第一原理分子動力学計算を行うことで、配位子の熱的安定性を評価すると、これらの現象が説明できた。このことから、ミストCVD法においては、成長温度における前駆体の錯形成状態が重要であることが分かった。