[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-6] 界面エネルギー計算にもとづくa-Al₂O₃(0001)基板上Ga₂O₃の構造安定性の
理論解析

〇石田 宏樹¹、秋山 亨¹、河村 貴宏¹ (1.三重大院工)

キーワード：

酸化ガリウム、界面機構

Ga2O3は、大きなバンドギャップ（4.8~5eV）により高耐圧化、低損失化が可能で、次世代パワー半導体材料として注目されています。α-Ga2O3の形成も報告されており、パワーデバイス材料としての可能性が期待されています。しかし、α-Al2O3(0001)基板上でのGa2O3の成長条件により、β-Ga2O3が形成されることがあります。本研究では、α-Ga2O3の形成機構と界面構造の安定性を界面エネルギー計算で議論します。計算モデルとして、α-Al2O3{0001}||α-Ga2O3{0001}およびα-Al2O3{0001}||β-Ga2O3{-201}を考慮し、それぞれの界面形成エネルギーを算出します。