[15p-P12-1~40] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[15p-P12-8] ミスト CVD 法による β-Ga2O3基板(010), (001)および(100)面上へのホモ エピタキシャル成長

〇赤岩 和明¹、富田 健稔²、姚 永昭³、柿本 浩一²、吉川 彰² (1.鳥取大学、2.東北大学、3.三重大学)

キーワード：

酸化ガリウム、酸化物半導体