講演情報
[15p-Y1311-4]SiC相補型JFETの350℃動作実証および性能向上に向けた基礎研究
〇金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
炭化ケイ素、接合型トランジスタ、高温
近年、高温・放射線暴露といった厳環境で動作可能な集積回路に注目が集まっている。ワイドギャップ半導体はシリコンの材料限界を打破する半導体として注目を集めており、集積回路分野においても例外ではない。中でも、炭化ケイ素（SiC）はイオン注入により広範囲のp、n型の伝導性制御が可能なため、厳環境動作集積回路に適した材料として期待されている。本発表では、SiC JFETを用いた相補型回路の概要について紹介する。