[15p-Y1311-1~6] 極限環境デバイス

15:45 〜 16:15

[15p-Y1311-5] 極限環境エレクトロニクス応用に向けた酸化ガリウムデバイス開発

〇東脇 正高^1,2、上村 崇史²、大槻 匠²、武山 昭憲³、牧野 高紘³、大島 武³ (1.大阪公立大院工、2.情通機構、3.量研)

キーワード：

酸化ガリウム

酸化ガリウム (Ga₂O₃) は、その4.5 eVと非常に大きなバンドギャップエネルギー、および強いイオン性結合に起因する物性から、高温、放射線下などに代表される極限環境での様々なエレクトロニクス応用が期待されている。本講演では、主に高温および放射線下での無線通信および信号処理応用を念頭に研究開発を進めてきた、Ga₂O₃ MOSFETの高周波デバイス特性およびその耐性試験結果について報告する。