講演情報
[16a-K101-1]酸素利用CVDによる低欠陥WS2の合成と、バックゲートデバイスによる電気特性評価
〇南條 航平1、杉崎 隼斗1、Jui Han Fu1、Vincent Tung1 (1.東大工)
キーワード：
CVD、WS2、トランジスタ
CVD合成は大面積の二次元材料合成に適しているが、欠陥の生成などの膜品質面での問題がある。本研究ではCVDの雰囲気ガスに酸素を用いることで欠陥生成を抑制し、高い蛍光強度を持つ高品質な膜を合成した。さらに合成した膜についてバックゲートデバイスを作成し膜の電気特性を調査した。