2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[16a-K101-1~11]17.3 層状物質

2025年3月16日(日) 9:00 〜 12:00
K101 (講義棟)
9:00 〜 9:15

[16a-K101-1]酸素利用CVDによる低欠陥WS2の合成と、バックゲートデバイスによる電気特性評価

〇南條 航平1、杉崎 隼斗1、Jui Han Fu1、Vincent Tung1 (1.東大工)
9:15 〜 9:30

[16a-K101-2]2段階アニールによる4inchウェハへの高被覆性MoS2の形成

〇田邉 真一1、三浦 仁嗣1、岡田 直也2、入沢 寿史2、黄 祐敏1、藁科 尚士1、成 浩1、深澤 篤毅1、前原 大樹1 (1.東京エレクトロン、2.産総研)
9:30 〜 9:45

[16a-K101-3]2段階アニール法におけるMoS2形成条件の探索

〇岡田 直也1、入沢 寿史1、田邉 真一2、三浦 仁嗣2、黄 祐敏2、藁科 尚士2、成 浩2、深澤 篤毅2、前原 大樹2 (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)
9:45 〜 10:00

[16a-K101-4]Si 基板上MoS2 CVD成長における前駆体/触媒溶液塗布法の検討

〇西村 隆之介1、渡辺 健太郎1,2 (1.信州大学、2.信州大学IFES)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[16a-K101-5]低温薄膜 MoS2膜成膜に向けた低粒子フラックススパッタリング

〇今井 慎也1、宗田 伊理也1、角嶋 邦之1、辰巳 哲也1、冨谷 茂隆1、若林 整1 (1.東京科学大学)
10:15 〜 10:30

[16a-K101-6]ミリメートルスケールでのα-MoO3単結晶の成長

〇小川 友以1、Krockenberger Yoshiharu1、河野 慎1、Erkilic Ufuk1、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性科学基礎研)
10:45 〜 11:00

[16a-K101-7]MAX Phase合成における誘導加熱-自己伝播高温合成法(IH-SHS)の汎用性

〇坂本 陽生1、西根 大祐1、山本 真人1、稲田 貢1 (1.関西大学)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-K101-8]自己触媒VLS成長におけるGaSxSe1-xナノベルトの組成制御

〇遠藤 由大1、ボシャール ネイサン1、関根 佳明1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
11:15 〜 11:30

[16a-K101-9]準安定層状物質SiTe2薄膜形成に及ぼす成長条件の探索

〇外池 巧樹1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太1,2,3 (1.東北大工、2.産総研SFRC、3.東北大GXT)
11:30 〜 11:45

[16a-K101-10]準安定層状半導体GeTe2の結晶化挙動に及ぼす熱処理温度と膜厚の影響

〇(M1)加藤 侑1、畑山 祥吾2、金 美賢1、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.産総研　SFRC、3.東北大GXT)
11:45 〜 12:00

[16a-K101-11]Microwave PE-CVDによる六方晶窒化ホウ素結晶成長におけるプラズマ-表面反応機構の解明

〇牟田 幸浩1、杉浦 正仁1、松本 貴士1 (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ（株）)
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