2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[16a-K101-1~11]17.3 層状物質

2025年3月16日(日) 9:00 〜 12:00

K101 (講義棟)

毛利真一郎(立命館大)

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9:00 〜 9:15

[16a-K101-1]酸素利用CVDによる低欠陥WS₂の合成と、バックゲートデバイスによる電気特性評価

〇南條航平¹、杉崎隼斗¹、Jui Han Fu¹、Vincent Tung¹ (1.東大工)

9:15 〜 9:30

[16a-K101-2]2段階アニールによる4inchウェハへの高被覆性MoS₂の形成

〇田邉真一¹、三浦仁嗣¹、岡田直也²、入沢寿史²、黄祐敏¹、藁科尚士¹、成浩¹、深澤篤毅¹、前原大樹¹ (1.東京エレクトロン、2.産総研)

9:30 〜 9:45

[16a-K101-3]2段階アニール法におけるMoS₂形成条件の探索

〇岡田直也¹、入沢寿史¹、田邉真一²、三浦仁嗣²、黄祐敏²、藁科尚士²、成浩²、深澤篤毅²、前原大樹² (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)

9:45 〜 10:00

[16a-K101-4]Si 基板上MoS₂ CVD成長における前駆体/触媒溶液塗布法の検討

〇西村隆之介¹、渡辺健太郎^1,2 (1.信州大学、2.信州大学IFES)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[16a-K101-5]低温薄膜 MoS₂膜成膜に向けた低粒子フラックススパッタリング

〇今井慎也¹、宗田伊理也¹、角嶋邦之¹、辰巳哲也¹、冨谷茂隆¹、若林整¹ (1.東京科学大学)

10:15 〜 10:30

[16a-K101-6]ミリメートルスケールでのα-MoO₃単結晶の成長

〇小川友以¹、Krockenberger Yoshiharu¹、河野慎¹、Erkilic Ufuk¹、谷保芳孝¹ (1.NTT 物性科学基礎研)

10:45 〜 11:00

[16a-K101-7]MAX Phase合成における誘導加熱-自己伝播高温合成法(IH-SHS)の汎用性

〇坂本陽生¹、西根大祐¹、山本真人¹、稲田貢¹ (1.関西大学)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-K101-8]自己触媒VLS成長におけるGaS_xSe_1-xナノベルトの組成制御

〇遠藤由大¹、ボシャールネイサン¹、関根佳明¹、谷保芳孝¹ (1.NTT物性研)

11:15 〜 11:30

[16a-K101-9]準安定層状物質SiTe₂薄膜形成に及ぼす成長条件の探索

〇外池巧樹¹、畑山祥吾²、金美賢¹、齊藤雄太^1,2,3 (1.東北大工、2.産総研SFRC、3.東北大GXT)

11:30 〜 11:45

[16a-K101-10]準安定層状半導体GeTe₂の結晶化挙動に及ぼす熱処理温度と膜厚の影響

〇(M1)加藤侑¹、畑山祥吾²、金美賢¹、齊藤雄太^1,3 (1.東北大院工、2.産総研　SFRC、3.東北大GXT)

11:45 〜 12:00

[16a-K101-11]Microwave PE-CVDによる六方晶窒化ホウ素結晶成長におけるプラズマ-表面反応機構の解明

〇牟田幸浩¹、杉浦正仁¹、松本貴士¹ (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ（株）)

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