講演情報
[16a-K101-11]Microwave PE-CVDによる六方晶窒化ホウ素結晶成長におけるプラズマ-表面反応機構の解明
〇牟田 幸浩1、杉浦 正仁1、松本 貴士1 (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ（株）)
キーワード：
六方晶窒化ホウ素、二次元材料、CFET
我々はLogic A3世代の2D material CFET向け開発として、h-BN成膜技術開発に取り組んでいる。本プロセスにおいて窒素源としてN2を用いて成膜したh-BNの方がNH3を用いたものと比較して配向性、粒径が優れていることが判明している一方、その理由は不明であった。そこで、OESを用いたプラズマ中活性種分析による反応機構の考察をもとに高結晶配向h-BN成膜に重要な点を検討したので報告する。