講演情報
[16a-K101-2]2段階アニールによる4inchウェハへの高被覆性MoS2の形成
〇田邉 真一1、三浦 仁嗣1、岡田 直也2、入沢 寿史2、黄 祐敏1、藁科 尚士1、成 浩1、深澤 篤毅1、前原 大樹1 (1.東京エレクトロン、2.産総研)
キーワード：
MoS2、二次元、チャネル
ロジックデバイスの微細化に伴い、Siの極薄膜をチャネルとするComplementary Field-Effect Transistor(CFET)の開発が進められている。Siは薄膜化するとバルクに比べてキャリア移動度が低下するのに対し、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)は1 nm以下の厚さでSiより高いキャリア移動度を示すため、Siの代替材料として注目されている。今回、転写不要かつウェハスケールで被覆性良くMoS2をを形成する手法について発表する。