講演情報
[16a-K101-8]自己触媒VLS成長におけるGaSxSe1-xナノベルトの組成制御
〇遠藤 由大1、ボシャール ネイサン1、関根 佳明1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
キーワード：
III-VI族半導体、自己触媒VLS成長、有機金属気相成長法
有機金属気相成長(MOCVD)により、自己触媒VLS成長法で異なる組成比を有するGaSxSe1-xナノベルトを合成し、組成比のVI族原料供給量比依存性を調べた。さらに、自己触媒VLS成長の描像に基づいた運動論的方程式を用いて解析を行った結果、Sの脱離/結晶化レート比がSeよりも大きいことが分かった。この原因として、Seと比較して高いSの蒸気圧が高い脱離レートを生じた可能性が考えられる。