[16a-K103-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

11:15 〜 11:30

[16a-K103-9] イオン注入されたSi基板のマイクロ波加熱

〇藤井 知¹、島袋 颯馬¹、上殿 明良² (1.沖縄高専、2.筑波大)

キーワード：

マイクロ波加熱、ミニマルファブ、低速陽電子消滅

マイクロ波加熱（MWA）は固体表面の特定成分が選択的にマイクロ波を吸収するため局所的な効果を示し反応速度を大きく上げることが出来る。このことから不純物活性化の焼鈍技術に導入する試みが研究されている。我々はマイクロ波シミュレーションやミニマルウエハ用シングルモード型共振器を使った実験を実施した。結果、MWAがSi表面からジュール加熱され他の方法より低温で同程度のシート抵抗を得られ欠陥も少ないことが確認された。