2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[16a-K103-1~10]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2025年3月16日(日) 9:00 〜 11:45
K103 (講義棟)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー英語発表

[16a-K103-1]Nickel Electroplating Using a Supercritical Carbon Dioxide-Emulsified
Nickel Sulfamate Electrolyte toward MEMS Applications

〇WENDING HOU1, Tomoyuki Kurioka1, Chun-Yi Chen1, Tso-Fu Mark Chang1, Katsuyuki Machida1, Hiroyuki Ito1, Yoshihiro Miyake1, Masato Sone1 (1.Institute of Science Tokyo)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[16a-K103-2]微小圧縮試験による Ti/Au 積層膜上の電解金めっき膜の機械特性評価

〇(B)飯間 翔太1、栗岡 智行1、菅野 翔太1、Chun Yi-Chen1、Tso-Fu Mark Chang1、町田 克之1、伊藤 浩之1、三宅 美博1、曽根 正人1 (1.東京科学大学)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-K103-3]ボルトの軸力測定を目指した圧電微小超音波トランスデューサの試作と実現可能性の検討

〇石松 祥1、大瀧 朱夏1、下山 達也1、岩田 侑次郎1、吉田 慎哉1 (1.芝浦工大工)
9:45 〜 10:00

[16a-K103-4]ナノインプリント法を用いたメタルアシストエッチング法によるSi加工

〇升方 康智1、山岸 英樹1、寺澤 孝志1 (1.富山産技研)
10:00 〜 10:15

[16a-K103-5]光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた極低温環境下におけるシリコンウェハ表面温度のリアルタイム測定

〇(M2)後藤 隆之介1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
10:30 〜 10:45

[16a-K103-6]選択成長による単結晶AlN自立膜を伝搬するLamb波の観測

〇木村 俊1、下地 規之1、合田 賢司1、天本 百合奈1、内貴 崇1、照元 幸次1、奥 良彰1 (1.ローム（株）)
10:45 〜 11:00注目講演

[16a-K103-7]レーザー励起光電子顕微鏡で可視化したフォトレジスト上の潜像と電場分布

〇藤原 弘和1,2、Bareille Cédric3、大川 万里生3、谷内 敏之1,2 (1.東大院新領域、2.東大MIRC、3.東大物性研)
11:00 〜 11:15英語発表

[16a-K103-8]Towards accurate CMP simulations: Bridging experimental data and
numerical models for 6-in SiC wafers

〇Roberto Iaconi1, Riku Tanaka1, Kevin Operiano1, Susumu Maeda1, Fumiya Kawate1, Sepasy Saeed2, Yoshifumi Watanabe2, Atsunobu Une3 (1.Aixtal Corporation, 2.Mipox Corporation, 3.National Def Acad)
11:15 〜 11:30

[16a-K103-9]イオン注入されたSi基板のマイクロ波加熱

〇藤井 知1、島袋 颯馬1、上殿 明良2 (1.沖縄高専、2.筑波大)
11:30 〜 11:45

[16a-K103-10]工業的イネ生産に向けた水耕栽培の検討

〇深水 克郎1,2、鹿島 光司3、佐藤 勝4、武山 真弓4、大場 隆之2 (1.DWRI、2.東京科学大学、3.朝日工業社、4.北見工大)
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