[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15

[16a-K301-1] 極低温における商用SiC MOSFETの特性測定に関する一検討

〇中河 英治¹、高山 創¹、新谷 道広¹ (1.京都工芸繊維大学)

キーワード：

極低温、SiC MOSFET

近年，極低温で動作する電力変換回路への適用を目的として，SiC MOSFETの極低温特性の評価が求められている．本研究では，商用SiC MOSFETの特性を室温から7 Kに至る範囲で評価する．伝達特性の測定結果から，しきい値が温度低下に伴い単調増加すること，極低温で相互コンダクタンスが大きく増加することを確認した．入力容量特性の測定結果から，反転電圧の単調増加を確認した一方で，測定装置の性能限界による測定上の課題を確認した．