[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 | 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-K301-1~13]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年3月16日(日) 9:00 〜 12:30

K301 (講義棟)

9:00 〜 9:15

[16a-K301-1]極低温における商用SiC MOSFETの特性測定に関する一検討

〇中河英治¹、高山創¹、新谷道広¹ (1.京都工芸繊維大学)

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[16a-K301-2]SiC MOS界面における光誘起キャリアの室温下での極性制御

〇(D)尾和哲大¹、三浦晨¹、稲村文行¹、生田昂¹、前橋兼三¹、生嶋健司¹ (1.農工大院工)

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-K301-3]SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性

〇(B)子安葵¹、新郷諒介¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大)

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[16a-K301-4]低直流電圧印加時におけるSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズムの解析

〇(M1)鹿志村快音¹、鈴木一広¹、矢野裕司¹、岩室憲幸¹ (1.筑波大学)

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[16a-K301-5]界面欠陥の物理的理解に基づくSiC MOSFETのモデリング

〇遅熙倫¹、伊藤滉二¹、須藤建瑠²、島明生²、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大院工、2.日立製作所)

10:15 〜 10:30

[16a-K301-6]界面準位の影響を考慮したドレイン電流近似式による界面準位密度評価

〇小林龍弥¹、田中一¹、森伸也¹ (1.大阪大工)

10:30 〜 10:45

[16a-K301-7]コンダクタンス法による価電子帯端近傍のSiC/SiO₂界面準位評価

〇三上杏太¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京都大学)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-K301-8]4H-SiC表面へのNラジカル窒化過程における表面N密度の飽和現象とその原因の調査

〇(M1)吉田遥希¹、女屋崇¹、喜多浩之¹ (1.東大院新領域)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[16a-K301-9]事前熱酸化に起因する高温Ar雰囲気アニールに伴う4H-SiC中の炭素欠陥生成の異常促進現象

〇(DC)呂楚陽¹、女屋崇¹、喜多浩之¹ (1.東大院新領域)

11:30 〜 11:45

[16a-K301-10]時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用

〇横山義希¹、矢野裕司¹、染谷満²、平井悠久²、渡辺平司³、梅田享英¹、堀内颯介¹、福永博生¹、島袋聞多¹ (1.筑波大学、2.産総研、3.大阪大学)

11:45 〜 12:00

[16a-K301-11]NOによる4H-SiC/SiO₂界面への窒素導入とSiO₂中へのホウ素ドーピングを併用したプロセスによる界面準位低減効果

〇中島辰海¹、野口宗隆²、日野史郎²、女屋崇¹、喜多浩之¹ (1.東大院新領域、2.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)

12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[16a-K301-12]4H-SiC(0001)の直接NO酸窒化で形成したMOS界面特性とその極薄Si層挿入による向上効果

〇内田雄太郎¹、女屋崇²、喜多浩之^1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)

12:15 〜 12:30

[16a-K301-13][第2回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 耐放射線イメージセンサのための4H-SiC 画素センサの研究

〇堤将之¹、目黒達也¹、武山昭憲²、大島武²、田中保宣³、黒木伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

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