2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16a-K301-1~13]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年3月16日(日) 9:00 〜 12:30
K301 (講義棟)
岡本 大(富山県立大)
9:00 〜 9:15

[16a-K301-1]極低温における商用SiC MOSFETの特性測定に関する一検討

〇中河 英治1、高山 創1、新谷 道広1 (1.京都工芸繊維大学)
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[16a-K301-2]SiC MOS界面における光誘起キャリアの室温下での極性制御

〇(D)尾和 哲大1、三浦 晨1、稲村 文行1、生田 昂1、前橋 兼三1、生嶋 健司1 (1.農工大院工)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-K301-3]SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性

〇(B)子安 葵1、新郷 諒介1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大)
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9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[16a-K301-4]低直流電圧印加時におけるSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズムの解析

〇(M1)鹿志村 快音1、鈴木 一広1、矢野 裕司1、岩室 憲幸1 (1.筑波大学)
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10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[16a-K301-5]界面欠陥の物理的理解に基づくSiC MOSFETのモデリング

〇遅 熙倫1、伊藤 滉二1、須藤 建瑠2、島 明生2、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.日立製作所)
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10:15 〜 10:30

[16a-K301-6]界面準位の影響を考慮したドレイン電流近似式による界面準位密度評価

〇小林 龍弥1、田中 一1、森 伸也1 (1.大阪大工)
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10:30 〜 10:45

[16a-K301-7]コンダクタンス法による価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位評価

〇三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京都大学)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-K301-8]4H-SiC表面へのNラジカル窒化過程における表面N密度の飽和現象とその原因の調査

〇(M1)吉田 遥希1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[16a-K301-9]事前熱酸化に起因する高温Ar雰囲気アニールに伴う4H-SiC中の炭素欠陥生成の異常促進現象

〇(DC)呂 楚陽1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
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11:30 〜 11:45

[16a-K301-10]時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用

〇横山 義希1、矢野 裕司1、染谷 満2、平井 悠久2、渡辺 平司3、梅田 享英1、堀内 颯介1、福永 博生1、島袋 聞多1 (1.筑波大学、2.産総研、3.大阪大学)
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11:45 〜 12:00

[16a-K301-11]NOによる4H-SiC/SiO2界面への窒素導入とSiO2中へのホウ素ドーピングを併用したプロセスによる界面準位低減効果

〇中島 辰海1、野口 宗隆2、日野 史郎2、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域、2.三菱電機(株) 先端技術総合研究所)
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12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[16a-K301-12]4H-SiC(0001)の直接NO酸窒化で形成したMOS界面特性とその極薄Si層挿入による向上効果

〇内田 雄太郎1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)
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12:15 〜 12:30

[16a-K301-13][第2回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 耐放射線イメージセンサのための4H-SiC 画素センサの研究

〇堤 将之1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、田中 保宣3、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)
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