[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45

[16a-K301-10] 時間分解スピン依存チャージポンピング分光の開発と4H-SiC MOSFETsへの適用

〇横山 義希¹、矢野 裕司¹、染谷 満²、平井 悠久²、渡辺 平司³、梅田 享英¹、堀内 颯介¹、福永 博生¹、島袋 聞多¹ (1.筑波大学、2.産総研、3.大阪大学)

キーワード：

半導体、Electrically detected magnetic resonance (EDMR)、SiC

電流検出型スピン共鳴分光法(EDMR)はMOS界面欠陥の原子構造解明に有効的な手法である。さらに、界面準位を評価する上で伝統的な手法であるチャージポンピン法(CP法)により発生する電流を用いたスピン依存チャージポンピング(SDCP)も開発されている。従来のSDCP法はI_CPの時間平均値を使用していたのに対し、CP法が誘発する時間変化I_CPを解析できる時間分解SDCP法を開発した。その応用の第一例として4H-SiC MOSFETへの適用を報告する。