[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[16a-K301-12] 4H-SiC(0001)の直接NO酸窒化で形成したMOS界面特性とその極薄Si層挿入による向上効果

〇内田 雄太郎¹、女屋 崇²、喜多 浩之^1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)

キーワード：

SiC、NO酸窒化

既にNO中での熱処理を用いたSiC基板表面への窒素導入プロセスの重要性は明らかではあるが、NOプロセスの工夫や前処理の追加による界面特性の更なる向上が期待される。そこで本研究では、4H-SiC(0001)基板上に極薄Si層を堆積させた後にNO酸窒化してMOS構造を形成するプロセスを提案し、このプロセスが界面特性に及ぼす効果を調べた。