[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

12:15 〜 12:30

[16a-K301-13] [第2回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演] 耐放射線イメージセンサのための4H-SiC 画素センサの研究

〇堤 将之¹、目黒 達也¹、武山 昭憲²、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：

イメージセンサ、シリコンカーバイド