[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-K301-3] SiC MOSFETにおけるAC-BTIの窒化時間依存性

〇(B)子安 葵¹、新郷 諒介¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大)

キーワード：

SIC MOSFET、しきい値電圧変動、ゲートACストレス

SiC MOSFETのSiC/SiO₂界面には多量の界面準位や酸化膜欠陥が存在し、キャリアが捕獲されることでしきい値電圧変動(ΔVth)が引き起こされる。ゲート電極にAC信号を印加した際のΔVthをAC-BTIと呼び信頼性指標として近年注目されている。本研究では界面準位密度(Dit)の低減に効果的な窒化処理の時間を変えたnチャネル及びpチャネルSiC MOSFETに対してのAC-BTIを評価した。