[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[16a-K301-5] 界面欠陥の物理的理解に基づくSiC MOSFETのモデリング

〇遅 熙倫¹、伊藤 滉二¹、須藤 建瑠²、島 明生²、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.日立製作所)

キーワード：

MOSFET、移動度、界面欠陥

SiC MOSFETでは、界面欠陥による電子捕獲と捕獲電子によるキャリア散乱が同時に生じ、特性モデリングが困難である。本研究では、界面欠陥の存在場所がデバイス特性に与える影響に着目し、捕獲電子の位置を変化させた上で、自由電子移動度の数値計算を行った。捕獲電子がMOS界面極近傍SiC側に存在する場合、幅広い実効電界と温度範囲で定量したHall移動度の実験結果を数値計算により再現したのでその結果について報告する。