[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-K301-8] 4H-SiC表面へのNラジカル窒化過程における表面N密度の飽和現象とその原因の調査

〇(M1)吉田 遥希¹、女屋 崇¹、喜多 浩之¹ (1.東大院新領域)

キーワード：

SiC、ラジカル窒化

SiC界面の窒化の主な手法であるNOアニール窒化では、酸化による窒素の脱離によりSiC/SiO₂界面N密度が長時間の窒化で飽和してしまう。そこで、本研究では酸化が大幅に抑制された手法であるNラジカル窒化を用いたが、NOアニール窒化と同様のN飽和挙動が確認された。この原因の一つは真空中での加熱によるNの脱離であったが、Oなどの活性種によるN脱離反応も同時に進行している可能性がある。