講演情報
[16a-K301-9]事前熱酸化に起因する高温Ar雰囲気アニールに伴う4H-SiC中の炭素欠陥生成の異常促進現象
〇(DC)呂 楚陽1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
SiC、熱酸化、アルゴン雰囲気
我々は既に、高温のAr雰囲気中でアニールを行うと、SiC表面近傍にC-C結合を含む炭素欠陥が析出する様子を全反射フーリエ変換赤外分光法（ATR-FTIR）によって観察できることを報告した。一般に熱酸化を行うことでSiC基板中に炭素関連欠陥が形成するとされるものの、前記の炭素欠陥生成は、Ar雰囲気中に僅かな（～数Pa）の酸素分圧(Po2)があるだけでほぼ完全に抑制された。しかし熱酸化にはなんらかの炭素欠陥生成の促進作用があると考えるのが自然である。そこで本研究では、事前に熱酸化を行ったことによる、その後の高温Ar雰囲気アニールにおける炭素関連欠陥の生成の促進効果を調べた。