[16a-K307-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

10:30 〜 10:45

[16a-K307-6] ゲート電極構造による電界破断位置依存性

筒井 優貴^1,2、島 久¹、秋永 広幸¹、菅 洋志²、〇内藤 泰久¹ (1.産総研、2.千葉工大)

キーワード：

電界破断、原子移動、ナノ金属配線