セッション詳細
[16a-K307-1~10]9.3 ナノエレクトロニクス
2025年3月16日(日) 9:00 〜 11:45
K307 (講義棟)
[16a-K307-1]単電子拡散律速凝集モデルの実装に向けた凝集過程の表現
〇宮越 遼河1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大IMS)
[16a-K307-2]巡回セールスマン問題を解く単電子粘菌回路の新設定
〇竹本 椋1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大 IMS)
[16a-K307-3]熱雑音を利用する単電子回路のための信号増幅回路設計とその応用
〇(B)田口 愛梨1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大理工、2.横国大IMS)
[16a-K307-4]DRAMセルのエネルギー効率限界:セル容量依存性
〇清水 貴勢1、知田 健作1、山端 元音1、西口 克彦1 (1.NTT物性基礎研)
[16a-K307-5]静電結合したシリコンナノドット間を流れる熱流ゆらぎの観測
〇知田 健作1、アンドリュー アントワン1、西口 克彦1 (1.NTT物性研)
[16a-K307-6]ゲート電極構造による電界破断位置依存性
筒井 優貴1,2、島 久1、秋永 広幸1、菅 洋志2、〇内藤 泰久1 (1.産総研、2.千葉工大)
[16a-K307-7]機械学習を用いたSi MOSFET 埋め込みナノ構造の非破壊評価の検討
〇呂 任翔1、葛西 誠也1 (1.北大 量集センター)
[16a-K307-8]Ortho-para nuclear spin isomer fluctuation of a H2O molecule in H2O@C60 single molecule transistors
〇Tian Yue1, Shaoqing Du1,3, Katsushi Hashimoto4, Yoshifumi Hashikawa5, Murata Yasujiro5, Yoshiro Hirayama4, Kazuhiko Hirakawa1,2 (1.IIS, Univ.of Tokyo, 2.INQIE,Univ.of Tokyo, 3.SIMIT, CAS, 4.Phys. Dept., Tohoku Univ., 5.ICR, Kyoto Univ.)
[16a-K307-9]単電子回路によるプリム法の表現のための電子トンネルカウント回路
〇石井 峻平1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)
[16a-K307-10]Particle Computationに学ぶ単電子論理ゲートの課題とその改善策
〇水野 創樹1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大IMS)