[16a-K310-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:45 〜 10:00

[16a-K310-2] Si基板上のInAsナノワイヤーからの横方向成長によるInAs薄膜成長

〇(B)アチャリヤ 淳一¹、海津 利行^1,2、宮下 直也^1,2、山口 浩一^1,2 (1.電通大基盤理工、2.電通大量子デバイスセンター)

キーワード：

量子ナノワイヤー、InAs薄膜成長、分子線エピタキシー