セッション詳細
[16a-K310-1~8]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2025年3月16日(日) 9:30 〜 11:30
K310 (講義棟)
[16a-K310-1]Si(111)基板上に自己触媒法InPナノワイヤの垂直エピタキシャル成長
〇章 国強1、Haochen Zhou1、日比野 浩樹2、後藤 秀樹3、眞田 治樹1 (1.NTT物性基礎研、2.関西学院大、3.広島大)
[16a-K310-2]Si基板上のInAsナノワイヤーからの横方向成長によるInAs薄膜成長
〇(B)アチャリヤ 淳一1、海津 利行1,2、宮下 直也1,2、山口 浩一1,2 (1.電通大基盤理工、2.電通大量子デバイスセンター)
[16a-K310-3]GaAs/GaInNAsSbコア-マルチシェルナノワイヤにおけるSb偏析
〇後藤 拓翔1,2、中間 海音1,2、橋本 英李1,2、峰久 恵輔1,2、Mattias Jansson3、Weimin M. Chen3、Irina A. Buyanova3、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ、3.リンショーピン大学)
[16a-K310-4]分子線エピタキシーによる窒素δドープGaAsナノワイヤ成長と特性
〇(B)佐野 真浩1,3、峰久 恵輔2,3、橋本 英季2,3、石川 史太郎3 (1.北大工、2.北大情科院、3.北大量集セ)
[16a-K310-5]低温成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットの発光特性の温度依存性
〇森田 彩乃1、高山 純一1、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学)
[16a-K310-6]低インジウム組成部分キャップを有する 1.5 μm帯量子ドットレーザ
〇權 晋寛1、鄭 智恵1、角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
[16a-K310-7]サブモノレイヤー積層法における埋め込み量子ドット密度調節による量子構造成長制御
〇奥泉 陽斗1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大)
[16a-K310-8]有機金属気相成長法によって作製されたInAs/GaAsSb 超格子の
As組成比による発光の変化
〇(M1)奥田 大晴1、荒井 昌和1、藤澤 剛2、鈴木 秀俊1、前田 幸治1 (1.宮崎大工、2.法政大理工)