[16a-K310-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:15 〜 10:30

[16a-K310-4] 分子線エピタキシーによる窒素δドープGaAsナノワイヤ成長と特性

〇(B)佐野 真浩^1,3、峰久 恵輔^2,3、橋本 英季^2,3、石川 史太郎³ (1.北大工、2.北大情科院、3.北大量集セ)

キーワード：

ナノワイヤ、窒素、δドーピング