[16a-K310-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[16a-K310-5] 低温成長した希薄窒化InGaAsN量子ドットの発光特性の温度依存性

〇森田 彩乃¹、高山 純一¹、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：

量子ドット、希薄窒化物半導体、フォトルミネッセンス