講演情報
[16a-K310-6]低インジウム組成部分キャップを有する 1.5 μm帯量子ドットレーザ
〇權 晋寛1、鄭 智恵1、角田 雅弘1、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子)
キーワード：
量子ドット、分子線エピタキシー
InP 基板上量子ドットレーザは長波長領域において優れた熱特性・戻り光耐性・低電力動作特性などから、10 Tbps 超光トランシーバーの光源材料として応用が期待されている。特に、InP基板上にヒ素系材料のみで作製される手法は作製コストの低減のみではなく、リン・ヒ素間のV属元素の相互拡散による欠陥を抑えられるため注目されている。我々は、InP 上の量子ドット作製において、低インジウム組成部分キャップを導入することで、広範囲な波長調整が可能であることを報告した。本稿では、この手法を用いて量子ドットレーザを作製し、その特性を調査したので報告する。