講演情報
[16a-K402-8]ゾル-ゲル法を用いた分子鋳型ITOチャネルTFTの創製
〇(D)片山 律1、坂田 利弥1 (1.東大院工)
キーワード:
溶液ゲート電界効果トランジスタ、分子鋳型、酸化インジウムスズ
本研究では、ITOで構成された溶液ゲートFETのITOチャネルと標的分子を直接相互作用させて標的分子の検出が可能となるよう、ウエットプロセスであるゾル–ゲル法によりITOチャネルを作製し、その内部への分子鋳型の導入を試みた。特に本発表では、アミノ酸の一種であるL-フェニルアラニン(L-Phe)を標的分子(鋳型分子)としたデバイスを作製し電気特性の評価を行った。