[16a-K403-1~6] 6.2 カーボン系薄膜

9:45 〜 10:00

[16a-K403-2] α-Ga₂O₃導波路作製に向けたPECVD 成膜 a-C:H 膜のArプラズマエッチング耐性評価

〇(M2)飯嶋 航大¹、谷口 公太³、大槻 秀夫¹、神野 莉衣奈¹、遠西 美重⁴、松谷 晃宏⁴、太田 泰友³、岩本 敏^1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研、3.慶大理工、4.東京科学大 RIM 機構 CFC)

キーワード：

酸化ガリウム、アモルファスカーボン、Arプラズマエッチング