[16a-K508-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:00 〜 9:15

[16a-K508-1] 新電解技術によるSiO2配線溝のエッチング

〇岩津 春生¹、新海 聡子²、小野 諒子² (1.KMP研究所、2.九工大)

キーワード：

配線

従来のウェットエッチンッグではプロファイルは等方性となるが、新電解技術では異方性、指向性の可能性を検証する。配線工程では、絶縁膜に配線溝をプラズマエッチングし、バリア、シード膜を介して電解めっきで配線材Cuの埋込がなされてきた。昨今高抵抗のバリア膜が不要な配線材料Co,Ruが検討されている。新電解技術では、絶縁膜に配線溝をウェットエッチングし、連続してRuめっき埋込の一貫プロセスを目指している。