[16a-K508-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術 | 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16a-K508-1~11]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2025年3月16日(日) 9:00 〜 12:00

K508 (講義棟)

9:00 〜 9:15

[16a-K508-1]新電解技術によるSiO2配線溝のエッチング

〇岩津春生¹、新海聡子²、小野諒子² (1.KMP研究所、2.九工大)

9:15 〜 9:30

[16a-K508-2]新電解技術によるSiO2へのRu配線めっき

〇岩津春生¹、新海聡子²、小野諒子² (1.KMP研究所、2.九工大)

9:30 〜 9:45

[16a-K508-3]原子論的計算に基づくRuのサイズ効果の解析

〇田中貴久¹ (1.慶大理工)

9:45 〜 10:00

[16a-K508-4]CuIを原料とする選択CVD法によるShallow-trench上へのCu成長

〇宮本裕¹、山内智¹ (1.茨城大院)

10:00 〜 10:15

[16a-K508-5]パルスめっき法を用いたビアフィリング銅めっきのシミュレーション

〇トンリチュ¹、永山達彦¹ (1.計測エンジニアリング)

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[16a-K508-6]ハイブリッド・ボンディングを適用した3次元フラッシュメモリにおける貼り合わせ界面空隙の内圧低減技術開発

〇大形彩斗¹、川西絢子¹、久米一平¹、有田幸司¹、山脇秀之¹ (1.キオクシア)

10:45 〜 11:00

[16a-K508-7]ハイブリッド接合への応用に向けたSiCN膜の接合メカニズム解明

〇山本泰輔¹、北川颯人¹、佐藤亮輔¹、蛯子颯大¹、坂田智裕²、井上史大¹ (1.横浜国大、2.東レリサーチセンター)

11:00 〜 11:15

[16a-K508-8]プラズマ活性化による表面改質とウエハ接合時の挙動解析

〇尾形崚太¹、佐藤亮輔¹、北川颯人¹、蛯子颯大¹、井上史大¹ (1.横浜国大)

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[16a-K508-9]高密度水素プラズマを用いた金属固相接合法の開発

〇安田怜央¹、太田雅斗¹、垣内弘章¹、大参宏昌¹ (1.阪大院工)

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[16a-K508-10]TMA/NH₃系FM-CVDによる400℃付近でのAlN成長薄膜評価・考察

〇(P)大高雄平¹、佐藤颯基¹、山口潤¹、佐藤登¹、筑根敦弘¹、霜垣幸浩¹ (1.東大院工)

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[16a-K508-11]顕微ラマン分光法によるTSV周辺Si歪の横方向分布評価

〇藤森涼太¹、伊藤佑太¹、横川凌²、小椋厚志^1,2、大野力一³、嵯峨幸一郎³、岩元勇人³ (1.明治大理工、2.明大MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

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