講演情報
[16a-K508-10]TMA/NH3系FM-CVDによる400℃付近でのAlN成長薄膜評価・考察
〇(P)大高 雄平1、佐藤 颯基1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
キーワード：
三次元立体集積回路、窒化アルミニウム、化学気相成長法
三次元立体集積回路(3DIC)の放熱特性を改善するため、TSV内壁の絶縁膜をSiO2からAlNに置換する。チップの耐熱性から、400℃以下での薄膜成長が要求される。本研究では、400℃付近でのAlN膜質を改善し高熱伝導性を得るため、原料(トリメチルアルミニウム)を間歇的に供給するFlow Modulation(FM)-CVDを導入し、成長したAlN薄膜について、膜質と段差被覆性を多面的に評価した。