[16a-K508-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:15 〜 9:30

[16a-K508-2] 新電解技術によるSiO2へのRu配線めっき

〇岩津 春生¹、新海 聡子²、小野 諒子² (1.KMP研究所、2.九工大)

キーワード：

配線

半導体集積回路の微細配線は従来ダマシンプロセスで、バリア膜を介して配線材の銅を電解めっきで埋込まれてきた。 昨今銅配線に変わってバリア膜不要のRu配線の採用が進んでいる。Ru配線はサブトラクト技術と呼ばれるCVD成膜後ドライエッチングする方法が一般的である。今回工程短縮を目的に新電解技術でバリア、シードレスの酸化膜Via,Trenchに直接Ruめっきを行ったので報告する。