講演情報
[16a-P06-5]1.3 μm帯高Q値シリコンナノ共振器の吸収損失
〇(B)山崎 祥英1、市之瀬 陸人1、石原 歩2、金丸 優太1、髙濵 渉2、浅野 卓3、野田 進3、高橋 和2 (1.大阪府大工、2.大阪公大院工、3.京大院工)
キーワード：
シリコンナノ共振器、カラーセンタ、フォトニック結晶
近年，高Q値ナノ共振器で光スピン量子インターフェースを開発する研究が，シリコン中のカラーセンタを用いて行われている．その高性能化には，カラーセンタの発光効率を高めることと，共振器からの放射効率を高めることが重要である．必要とされる共振器のQ値は最大20万程度，動作波長は1.3 μmである．今回，この波長域のシリコンナノ共振器の吸収損失の初期的見積りを行ったので報告する．