[16a-P08-1~4] 3.12 半導体光デバイス

[16a-P08-4] InP/Si基板上GaInAsP MQWハイメサ構造レーザの発振特性

〇(M2)張 くんよく¹、史 哲文¹、趙 亮¹、黒井 瑞生¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：

半導体、発振特性