セッション詳細
[16a-P08-1~4]3.12 半導体光デバイス
2025年3月16日(日) 9:30 〜 11:30
P08 (森戸記念体育館)
[16a-P08-1]Analysis of 1.27μm Near-Infrared Quantum Cascade Lasers using Si/CaF2 Heterostructures on SOI Substrate
〇Zhiyuan Fan1, Hyuma Suzuki1, Haibo Wang1, Masahiro Watanabe1 (1.Science Tokyo)
[16a-P08-2]赤色発光 (620nm) InGaN系ナノコラムLEDー電流注入効率改善への取組－
〇小口 眞大1、富樫 理恵1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)
[16a-P08-3]10 µm帯量子カスケードレーザの高性能化
〇安田 浩朗1、粟根 悠介2、寺門 知二2、松村 樹2、松濱 誠2 (1.情報通信研究機構、2.堀場製作所)
[16a-P08-4]InP/Si基板上GaInAsP MQWハイメサ構造レーザの発振特性
〇(M2)張 くんよく1、史 哲文1、趙 亮1、黒井 瑞生1、下村 和彦1 (1.上智大理工)