[16a-Y1311-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:00 〜 9:15

[16a-Y1311-1] IGZO MOS キャパシタによるIGZO の誘電率の高精度評価

〇村嶋 柊弥¹、高 烜赫東¹、竹中 充¹、高木 信一¹、トープラサートポン カシディット¹ (1.東大工)

キーワード：

誘電率