[16a-Y1311-1~9] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-Y1311-1~9]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2025年3月16日(日) 9:00 〜 11:30

Y1311 (13号館)

9:00 〜 9:15

[16a-Y1311-1]IGZO MOS キャパシタによるIGZO の誘電率の高精度評価

〇村嶋柊弥¹、高烜赫東¹、竹中充¹、高木信一¹、トープラサートポンカシディット¹ (1.東大工)

9:15 〜 9:30

[16a-Y1311-2]ナノシート酸化物半導体―電極界面における電子状態の分析

〇黄善彬¹、坂井洸太³、髙橋崇典²、上沼睦典¹、浦岡行治²、小林正治³ (1.産総研、2.奈良先端大、3.東大生産研)

9:30 〜 9:45

[16a-Y1311-3]原子層堆積法を用いた結晶性Ga添加In₂O₃極薄膜の成長と電界効果トランジスタへの応用

〇高橋崇典¹、星井拓也²、霍間勇輝³、砂川美佐³、笘井重和³、朴鍾鎬²、玉元海樹²、角嶋邦之²、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.東京科学大、3.出光興産)

9:45 〜 10:00英語発表

[16a-Y1311-4]Impact of thermal annealing and channel thickness on electrical characteristics and instability of ultrathin AlO_x/InO_x FETs

〇CHIATSONG CHEN¹, Kasidit Toprasertpong², Toshifumi Irisawa¹, Shinji Migita¹, Wen-Hsin Chang¹, Yukinori Morita¹, Hiroyuki Ota¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST, 2.hte Univ. of Tokyo)

10:00 〜 10:15

[16a-Y1311-5]Mist-CVD法を用いた、酸化物半導体薄膜の作製とトランジスタ性能の向上

〇江波戸慶吾¹ (1.日本大学)

10:30 〜 10:45

[16a-Y1311-6]InCl₃を用いたMist CVD法による極薄膜In₂O₃成膜

〇(M1C)石川諒¹、林佑哉¹、相川慎也¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹、山口智広¹ (1.工学院大)

10:45 〜 11:00

[16a-Y1311-7]準安定組成域における岩塩構造MgZnO混晶のミストCVD成長

〇田中恭輔¹、小川広太郎¹、山口智広¹、本田徹¹、尾沼猛儀¹ (1.工学院大)

11:00 〜 11:15

[16a-Y1311-8]深紫外線照射下でのZnGa₂O₄薄膜のインピーダンス特性とその温度依存性

〇加瀬伶也¹、前田竜之介¹、小熊佑弥¹、山本和貫²、石井聡¹ (1.東京電機大、2.千葉大院工)

11:15 〜 11:30

[16a-Y1311-9]ZnO膜におけるN添加と酸素アニールの影響

〇山田祐美加^1,2、大森陽生²、舩木修平²、山田容士² (1.コベルコ科研、2.島根大自然)

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