[16a-Y1311-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[16a-Y1311-3] 原子層堆積法を用いた結晶性Ga添加In₂O₃極薄膜の成長と電界効果トランジスタへの応用

〇高橋 崇典¹、星井 拓也²、霍間 勇輝³、砂川 美佐³、笘井 重和³、朴 鍾鎬²、玉元 海樹²、角嶋 邦之²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.東京科学大、3.出光興産)

キーワード：

酸化物半導体、電界効果トランジスタ、原子層堆積法