講演情報
[16a-Y1311-5]Mist-CVD法を用いた、酸化物半導体薄膜の作製とトランジスタ性能の向上
〇江波戸 慶吾1 (1.日本大学)
キーワード：
半導体、Mist CVD法
半導体デバイス作製においてコスト削減は大きな課題である。中でも薄膜作製プロセスは高い比率を占めている。Mist-CVDはスパッタリングやプラズマCVDに比べて安全かつ低コスト・低環境負荷といった利点がある。今回は、原子状酸素処理を用いたTFTとキャリアガスにO₃を加えたTFTの性能向上を検討した結果を報告する。キャリアガスにO₃を加えたTFT特性はON電流と移動度ともに向上するがOFF電流は悪くなった。それに比べ原子状酸素処理を行ったTFT特性はキャリアガスにO₃を加えたよりもON電流とOFF電流、移動度ともに向上することを確認した。キャリアガスにO₃を加えたTFTでは不純物が除去しきれていないが原子状酸素処理を行ったTFTでは適切に除去できていると考えている。原子状酸素処理のガス圧は5PaがTFTを作製するに最適値であることを確認した。