講演情報
[16a-Y1311-8]深紫外線照射下でのZnGa2O4薄膜のインピーダンス特性とその温度依存性
〇加瀬 伶也1、前田 竜之介1、小熊 佑弥1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
キーワード：
ZnGa2O4、インピーダンス、結晶粒
我々は水熱合成ZnGa2O4ナノ粒子を用いた薄膜において，作製時のアニール温度を高くすると，結晶粒及び粒界の結晶構造を介して電気抵抗が減少することを確認してきた．本研究では，結晶粒及び粒界の電気伝導機構を活性化エネルギーの観点から明らかにすることを目的として，深紫外線照射下での交流インピーダンスの温度依存性を評価した．