2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術

[16p-K202-1~12]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術

2025年3月16日(日) 13:30 〜 17:15
K202 (講義棟)
百瀬 健(熊本大)、 唐橋 一浩(阪大)
13:30 〜 14:00

[16p-K202-1]汎用ニューラルネットワークポテンシャルを用いた半導体製造プロセスにおける表面反応解析

〇松本 皓太1、佐藤 真1、浅野 裕介1 (1.(株)PFCC)
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14:00 〜 14:30

[16p-K202-2]量子コンピュータの現状と展望:化学反応計算への応用

〇中川 裕也1 (1.QunaSys)
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14:30 〜 14:45

[16p-K202-3]ALD用高蒸気圧金属錯体の開発と反応性の予測

〇佐藤 登1、星谷 尚亨2、山内 昭佳2、匂坂 重仁2、岸川 洋介2、呉 宇軒1、山口 潤1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工、2.ダイキン工業(株))
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14:45 〜 15:00

[16p-K202-4]汎用機械学習ポテンシャルを用いたTiN成膜中H2 purgeの効果の解析

〇門田 太一1、吉田 美結3、村上 透唯3、森川 良忠3、李 虎2 (1.TEL、2.TEA、3.大阪大学)
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15:00 〜 15:15

[16p-K202-5]原子シミュレーションを用いたTiN成膜過程における表面反応の解析

〇(M2)吉田 美結1、村上 透唯1、門田 太一2、李 虎3、Harry Halim1、森川 良忠1 (1.阪大、2.TEL、3.TEA)
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15:30 〜 15:45

[16p-K202-6]SiN 原子層堆積（ALD）の原子スケール数値シミュレーション

Abdullah Y. Jaber1、Jomar U. Tercero1、伊藤 智子1、唐橋 一浩1、幾世 和将1、礒部 倫郎1、〇浜口 智志1 (1.阪大工)
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15:45 〜 16:00英語発表

[16p-K202-7]Adsorption state study of Trimethylaluminum using neural network potential

〇Yuxuan Wu1, Jun Yamaguchi1, Noboru Sato1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The University of Tokyo)
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16:00 〜 16:15英語発表

[16p-K202-8]Computation of Al2O3 ALD by trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and neural
network potential

〇Yichen ZOU1, Yuxuan Wu1, Jun Yamaguchi1, Noboru Sato1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The Univ. of Tokyo)
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16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-K202-9]室温原子層堆積法を用いた連続吸着方式におけるジンクアルミネート成膜の実証及び評価

鈴木 晴登1、〇宮澤 諒1、竹田 響綺1、洲崎 慧1、大西 凌二1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
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16:30 〜 16:45

[16p-K202-10]アルカリ金属回収のためのアルミニウムシリケート薄膜の試作と評価

〇竹田 響綺1、宮澤 諒1、鈴木 晴登1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)
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16:45 〜 17:00

[16p-K202-11]CCTBA原料を用いたCo-ALDの初期核発生過程評価

〇玉置 直樹1、鄧 玉斌1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
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17:00 〜 17:15英語発表

[16p-K202-12]Study of Pd activation effect on the Co-ALD process

〇(P)Yubin DENG1, Jun Yamaguchi1, Yuhei Otaka1, Naoki Tamaoki1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The Univ. of Tokyo)
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