セッション詳細
[16p-K203-1~10]次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開
2025年3月16日(日) 13:30 〜 17:40
K203 (講義棟)
組頭 広志(東北大)、 松野 丈夫(阪大)
[16p-K203-3]ALDによる高誘電酸化物薄膜作製への化学的アプローチ<o:p></o:p>
〇松尾 保孝1、西田 章浩1,2 (1.北大電子所、2.(株)ADEKA)
[16p-K203-5]六方晶窒化ホウ素上の相変化酸化物薄膜の局所ナノ構造を用いた低電圧抵抗スイッチ機能設計
〇(M2)冨田 雄揮1、李 好博1、服部 梓1、中払 周3、若山 裕4、渡邉 賢司4、谷口 尚4、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大OTRI、3.東京工科大学、4.物質・材料研究機構)
