セッション詳細
[16p-K203-1~10]次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開
2025年3月16日(日) 13:30 〜 17:40
K203 (講義棟)
[16p-K203-1]イントロダクトリートーク
〇田中 秀和1 (1.阪大産研)
[16p-K203-2]酸化物半導体トランジスタの微細化に関する研究
〇⼩林 正治1,2 (1.東大d.lab、2.東大生研)
[16p-K203-3]ALDによる高誘電酸化物薄膜作製への化学的アプローチ<o:p></o:p>
〇松尾 保孝1、西田 章浩1,2 (1.北大電子所、2.(株)ADEKA)
[16p-K203-4]量産可能な二次元ナノカーボンの製造法の確立と機能開拓
〇仁科 勇太1 (1.岡山大基礎研)
[16p-K203-5]六方晶窒化ホウ素上の相変化酸化物薄膜の局所ナノ構造を用いた低電圧抵抗スイッチ機能設計
〇(M2)冨田 雄揮1、李 好博1、服部 梓1、中払 周3、若山 裕4、渡邉 賢司4、谷口 尚4、田中 秀和1,2 (1.阪大産研、2.阪大OTRI、3.東京工科大学、4.物質・材料研究機構)
[16p-K203-6]高速大容量メモリ実現に向けた酸化物半導体トランジスタへの期待と課題
〇株柳 翔⼀1、藤井 章輔1 (1.キオクシア株式会社)
[16p-K203-7]受動素子として優れた酸化物パワーデバイスが能動素子として世に出るためのアプローチ
〇⾦⼦ 健太郎1 (1.立命館大学半導体応用研究センター)
[16p-K203-8]強相関酸化物を用いたスピントランジスタ
〇⼤⽮ 忍1,2、遠藤 達朗1、中村 葵1、田中 雅明1,2 (1.東大院工、2.東大スピンセンター)
[16p-K203-9]次世代FPDの要求を満たす高移動度を示す安定な酸化物薄膜トランジスタ
〇曲 勇作1、太田 裕道1 (1.北大電子研)
[16p-K203-10]次の100年に向けて
〇秋永 広幸1 (1.産総研デバイス技術)