[16p-K203-1~10] 次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開

15:05 〜 15:20

[16p-K203-5] 六方晶窒化ホウ素上の相変化酸化物薄膜の局所ナノ構造を用いた低電圧抵抗スイッチ機能設計

〇(M2)冨田 雄揮¹、李 好博¹、服部 梓¹、中払 周³、若山 裕⁴、渡邉 賢司⁴、谷口 尚⁴、田中 秀和^1,2 (1.阪大産研、2.阪大OTRI、3.東京工科大学、4.物質・材料研究機構)

キーワード：

相変化酸化物薄膜、六方晶窒化ホウ素