[16p-K203-1~10] 次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開

15:35 〜 16:05

[16p-K203-6] 高速大容量メモリ実現に向けた酸化物半導体トランジスタへの期待と課題

〇株柳 翔⼀¹、藤井 章輔¹ (1.キオクシア株式会社)

キーワード：

メモリ、酸化物半導体、強誘電体

AI技術の急速な発展にともない、高速大容量メモリへの期待はますます高まっている。従来メモリの限界を打破し、さらなる大容量化・低コスト化を目指すために酸化物半導体トランジスタの研究開発が活発に進められている。本講演では、酸化物半導体トランジスタを用いた新型DRAM、および縦型FeFETの研究例を紹介し、高速大容量メモリ応用へ向けた期待と課題について議論する。